碳化硅是一種硬度高、化學(xué)穩(wěn)定性好的材料，在對其進(jìn)行研磨時需要特定的研磨儀以確保良好的研磨效果。以下是一些可用于碳化硅樣品研磨的研磨儀：

一、實驗室振動磨機

  測試是在具有低振動頻率（14Hz）的實驗室振動磨機中進(jìn)行的，并定期進(jìn)行操作。碳化硅的研磨過程是在空氣環(huán)境中在帶有鋼襯的室內(nèi)進(jìn)行的，研磨介質(zhì)為鋼球。這種研磨儀可用于不同類型的碳化硅研磨，如 SiC-A 進(jìn)料的晶粒尺寸為 0 - 10 毫米，SiC-B 晶粒為 0 - 1.6 毫米，可實現(xiàn)特定的技術(shù)目標(biāo)，如獲得 d??小于 15μm 的干磨 SiC-A 粉，對于 d??小于 3μm 且 BET 比表面積大于 3m2/g 的 SiC-B。

二、數(shù)控平面磨床

  CVD-SiC 樣品可使用數(shù)控平面磨床進(jìn)行研磨。通過使用不同結(jié)合劑的金剛石砂輪，如 SD4000-M 輪、樹脂結(jié)合劑砂輪等，可以在不進(jìn)行拋光處理的情況下獲得光滑的表面粗糙度和高輪廓精度。SD4000-M 輪可在 CVD-SiC 樣品上進(jìn)行研磨而不會在成品表面產(chǎn)生斷裂，表面粗糙度為 3nm Ra，輪廓精度為 0.3μm。樹脂結(jié)合劑砂輪雖然可以更容易地獲得更平滑的表面粗糙度，但由于砂輪變形，輪廓精度限制在 0.9μm。磨損的 SD2000-M 輪也可以在 CVD-SiC 樣品上進(jìn)行延性模式研磨。研磨表面上的表面斷裂率強烈取決于金剛石磨粒的粒度以及進(jìn)給量和切削深度。

三、光纖研磨機

針對光纖研磨機的碳化硅研磨液過濾攪拌循環(huán)系統(tǒng)存在的問題進(jìn)行改進(jìn)后，光纖研磨機可實現(xiàn)研磨液自動攪拌循環(huán)，提高研磨液的利用率，減少雜質(zhì)和人工成本，使設(shè)備性能得到進(jìn)一步改善。雖然沒有明確提及該研磨機直接對碳化硅樣品的研磨方式，但可以推斷其在碳化硅研磨過程中可能起到一定的作用。

四、超精密表面磨床

化學(xué)氣相沉積碳化硅（CVD-SiC）是高亮度同步輻射光束線反射鏡的最重要材料，但該材料極難加工。為了減少制作 CVD-SiC 反射鏡的加工時間，可使用超精密表面磨床進(jìn)行研磨。例如，使用樹脂結(jié)合劑金剛石砂輪和具有極低熱膨脹的玻璃陶瓷主軸的超精密表面磨床，可將 CVD-SiC 樣品研磨至表面粗糙度為 0.4nm rms。研磨后的樣品表面粗糙度可使用 TOPO-3D 和 AFM 進(jìn)行測量，在波長為 0.834nm 的 X 射線以 0.7 - 0.95 度的掠入射角下，研磨后的 CVD-SiC 平面表面可獲得 88.7% 的反射率。反射率取決于入射光束方向與樣品上研磨痕跡之間的角度.

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